天玑9500

天玑9500

  • 核心频率：4.21GHz
  • 核心数量：八核
  • 功耗TDP：3.9w
  • 制作工艺：台积电第三代3纳米
骁龙8 Elite

骁龙8 Elite

  • 核心频率：4.32GHz
  • 核心数量：8核
  • 功耗TDP：
  • 制作工艺：3nm
天玑7025 Ultra

天玑7025 Ultra

  • 核心频率：2.5GHz
  • 核心数量：8核
  • 功耗TDP：10W
  • 制作工艺：6nm制程
麒麟9010

麒麟9010

  • 核心频率：2.3GHz
  • 核心数量：8核心
  • 功耗TDP：8W
  • 制作工艺：第二代7nm工艺
苹果A18 Pro

苹果A18 Pro

  • 核心频率：4.05GHz
  • 核心数量：6核
  • 功耗TDP：5.4W
  • 制作工艺：3nm制程
苹果A18

苹果A18

  • 核心频率：4.05GHz
  • 核心数量：6核
  • 功耗TDP：5.4W
  • 制作工艺：3纳米制程工艺
天玑9400

天玑9400

  • 核心频率：3.62GHz
  • 核心数量：八核
  • 功耗TDP：4.9W
  • 制作工艺：第二代3nm工艺
紫光展锐T740

紫光展锐T740

  • 核心频率：2.0GHz
  • 核心数量：8核
  • 功耗TDP：
  • 制作工艺：6nm EUV
紫光展锐T750

紫光展锐T750

  • 核心频率：2.0GHz
  • 核心数量：8核
  • 功耗TDP：5W
  • 制作工艺：6nm
紫光展锐T770

紫光展锐T770

  • 核心频率：2.5Ghz
  • 核心数量：8核
  • 功耗TDP：6W
  • 制作工艺：6nm EUV
紫光展锐T820

紫光展锐T820

  • 核心频率：2.7GHz
  • 核心数量：8核
  • 功耗TDP：5W
  • 制作工艺：6nm
三星Exynos 990

三星Exynos 990

  • 核心频率：2.00 GHz
  • 核心数量：8核
  • 功耗TDP：
  • 制作工艺：7nm
三星Exynos 2100

三星Exynos 2100

  • 核心频率：1.80 GHz
  • 核心数量：8核
  • 功耗TDP：9W
  • 制作工艺：5nm
三星Exynos 2200

三星Exynos 2200

  • 核心频率：2.2 GHz
  • 核心数量：8核
  • 功耗TDP：9W
  • 制作工艺：4 nm LPE
麒麟955

麒麟955

  • 核心频率：1.80 GHz
  • 核心数量：8核
  • 功耗TDP：10W
  • 制作工艺：16 nm16 nm
麒麟960

麒麟960

  • 核心频率：1.80 GHz
  • 核心数量：8核
  • 功耗TDP：5W
  • 制作工艺：16nm
麒麟970

麒麟970

  • 核心频率：1.84 GHz
  • 核心数量：8核
  • 功耗TDP：
  • 制作工艺：10nm
麒麟710

麒麟710

  • 核心频率：1.70 GHz
  • 核心数量：8核
  • 功耗TDP：5W
  • 制作工艺：12nm
麒麟820E

麒麟820E

  • 核心频率：2.22 GHz
  • 核心数量：8核
  • 功耗TDP：6W
  • 制作工艺：7nm
麒麟8000

麒麟8000

  • 核心频率：2.4 GHz
  • 核心数量：8核
  • 功耗TDP：6W
  • 制作工艺：7nm
麒麟990E

麒麟990E

  • 核心频率：2.86 GHz
  • 核心数量：8核
  • 功耗TDP：6W
  • 制作工艺：7nm
三星Exynos 1380

三星Exynos 1380

  • 核心频率：2.0 GHz
  • 核心数量：8核
  • 功耗TDP：9W
  • 制作工艺：5 nm LPE
三星Exynos 1280

三星Exynos 1280

  • 核心频率：2.0 GHz
  • 核心数量：8核
  • 功耗TDP：9W
  • 制作工艺：5 nm LPE
三星Exynos 1080

三星Exynos 1080

  • 核心频率：2.00 GHz
  • 核心数量：8核
  • 功耗TDP：10W
  • 制作工艺：5nm
三星Exynos 880

三星Exynos 880

  • 核心频率：1.80 GHz
  • 核心数量：8核
  • 功耗TDP：
  • 制作工艺：7nm
骁龙460

骁龙460

  • 核心频率：1.80 GHz
  • 核心数量：8核
  • 功耗TDP：3W
  • 制作工艺：11 nm11 nm
骁龙480 Plus

骁龙480 Plus

  • 核心频率：1.8 GHz
  • 核心数量：8核
  • 功耗TDP：3W
  • 制作工艺：8 nm LPP
骁龙480

骁龙480

  • 核心频率：1.8 GHz
  • 核心数量：8核
  • 功耗TDP：3W
  • 制作工艺：8 nm LPP
骁龙4 Gen1

骁龙4 Gen1

  • 核心频率：1.8 GHz
  • 核心数量：8核
  • 功耗TDP：9W
  • 制作工艺：6nm N6
骁龙4 Gen2

骁龙4 Gen2

  • 核心频率：2.20 GHz
  • 核心数量：8核
  • 功耗TDP：9W
  • 制作工艺：4nm
骁龙680

骁龙680

  • 核心频率：1.8 GHz
  • 核心数量：8核
  • 功耗TDP：6W
  • 制作工艺：6nm N6
骁龙685

骁龙685

  • 核心频率：2.8 GHz
  • 核心数量：8核
  • 功耗TDP：6W
  • 制作工艺：6nm N6
骁龙695

骁龙695

  • 核心频率：2.2 GHz
  • 核心数量：8核
  • 功耗TDP：
  • 制作工艺：6nm
骁龙6 Gen1

骁龙6 Gen1

  • 核心频率：2.20 GHz
  • 核心数量：8核
  • 功耗TDP：5W
  • 制作工艺：4nm
骁龙750G

骁龙750G

  • 核心频率：1.80 GHz
  • 核心数量：8核
  • 功耗TDP：5W
  • 制作工艺：8nm
骁龙765G

骁龙765G

  • 核心频率：1.80 GHz
  • 核心数量：8核
  • 功耗TDP：5W
  • 制作工艺：7nm
骁龙768G

骁龙768G

  • 核心频率：1.80 GHz
  • 核心数量：8核
  • 功耗TDP：5W
  • 制作工艺：7nm
骁龙778G Plus

骁龙778G Plus

  • 核心频率：2.5 GHz
  • 核心数量：8核
  • 功耗TDP：8W
  • 制作工艺：6nm
骁龙778G

骁龙778G

  • 核心频率：2.4GHz
  • 核心数量：8核
  • 功耗TDP：5W
  • 制作工艺：6nm N6
骁龙780G

骁龙780G

  • 核心频率：1.90 GHz
  • 核心数量：8核
  • 功耗TDP：5W
  • 制作工艺：5nm
骁龙782G

骁龙782G

  • 核心频率：2.7 GHz
  • 核心数量：8核
  • 功耗TDP：5W
  • 制作工艺：6nm
骁龙7S Gen2

骁龙7S Gen2

  • 核心频率：2.40 GHz
  • 核心数量：8核
  • 功耗TDP：9W
  • 制作工艺：4nm
骁龙7 Gen3

骁龙7 Gen3

  • 核心频率：2.63 GHz
  • 核心数量：8核
  • 功耗TDP：9W
  • 制作工艺：4nm
骁龙7 Gen2

骁龙7 Gen2

  • 核心频率：2.4 GHz
  • 核心数量：8核
  • 功耗TDP：5W
  • 制作工艺：4nm
骁龙7 Gen1

骁龙7 Gen1

  • 核心频率：1.80 GHz
  • 核心数量：6核
  • 功耗TDP：6W
  • 制作工艺：4nm
骁龙860

骁龙860

  • 核心频率：1.8 GHz
  • 核心数量：8核
  • 功耗TDP：10W
  • 制作工艺：7nm N7
紫光展锐T760

紫光展锐T760

  • 核心频率：2.2GHz
  • 核心数量：8核
  • 功耗TDP：
  • 制作工艺：6nm
天玑700

天玑700

  • 核心频率：2.0 GHz
  • 核心数量：8核
  • 功耗TDP：10W
  • 制作工艺：7nm N7
天玑720

天玑720

  • 核心频率：2.0 GHz
  • 核心数量：8核
  • 功耗TDP：10W
  • 制作工艺：7nm N7
天玑800U

天玑800U

  • 核心频率：2.40 GHz
  • 核心数量：8核
  • 功耗TDP：8W
  • 制作工艺：7nm
天玑810

天玑810

  • 核心频率：2.0 GHz
  • 核心数量：8核
  • 功耗TDP：10W
  • 制作工艺：6nm N6
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